拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機(jī)械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋，達(dá)到表面平坦效果。

  通過(guò)研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對(duì)SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC表面加工工序中非常關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié)。其中化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前實(shí)現(xiàn)SiC晶片全局平坦化最有效的方法。CMP是通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)工件表面材料去除及平坦化的過(guò)程。

  吉致電子碳化硅拋光液的質(zhì)量對(duì)拋光速率及拋光質(zhì)量有著重要作用，拋光液特點(diǎn)是：

  ①流動(dòng)性好，易循環(huán)，低殘留、易清洗；

  ②懸浮性能好，不宜沉淀和結(jié)塊；

  ③去除率高，不產(chǎn)生表面損傷；

  拋光液通過(guò)粗拋、精拋工藝可使SiC表面質(zhì)量特征參數(shù)符合后序加工中的精度要求。

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