CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。

  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。

  在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在著各式不同的類(lèi)別，例如鎢/銅及其阻擋層鋁、STI、ILD 等。STI即淺溝槽隔離層，他的作用主要是用氧化層來(lái)隔開(kāi)各個(gè)門(mén)電路，使各門(mén)電路之間互不導(dǎo)通。STI CMP這就是將晶圓表面的氧化層磨平，最終正好使SIN暴露出來(lái)。Oxide CMP包括了ILD CMP及IMD CMP，主要是將氧化鈰，氧化硅（Oxide）磨平至一定厚度，實(shí)現(xiàn)平坦化。

   在鎢、銅、Poly等各CMP環(huán)節(jié)之中，原理都是將電門(mén)之間的縫隙填充完后，對(duì)于不同部分的研磨，使晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化或者使需要的材質(zhì)正好暴露在外。

  吉致電子為半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)的STI Slurry淺槽隔離拋光液、硅襯底SIC拋光液、射頻濾波器拋光液、藍(lán)寶石研磨液、磷化銦Inp Slurry 拋光液、鈮酸鋰LiNbO3晶圓拋光液等可定制，速率高，效果好，適用于精密、超精密領(lǐng)域的平坦化高效加工。

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