吉致電子藍(lán)寶石拋光液雙面研磨與單面精磨
藍(lán)寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層,提升藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量,從而達(dá)到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學(xué)機(jī)械研磨工藝是解決藍(lán)寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一,那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的,研磨拋光耗材該怎么選?
藍(lán)寶石襯底雙面研磨可實(shí)現(xiàn)上、下兩個(gè)平面的實(shí)時(shí)同步加工,有效減小兩個(gè)平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差,具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層,而化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的材料去除厚度只有(3~5)um顯然不能夠滿足去除雙面研磨加工損傷層的要求。
單面精研磨即銅盤(pán)研磨,其加工精度和材料去除厚度介于雙面研磨和化學(xué)機(jī)械拋光兩者之間,因此采用單面精研磨作為過(guò)渡工藝,對(duì)晶片表面做進(jìn)一步處理,從而滿足化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)晶片表面前處理的質(zhì)量要求;晶片經(jīng)銅盤(pán)研磨后,表面損傷層厚度降至數(shù)微米,但其內(nèi)在微觀質(zhì)量仍需進(jìn)一步提高,采用化學(xué)機(jī)械粗拋光去除銅盤(pán)研磨過(guò)程中殘留的損傷層;最后通過(guò)化學(xué)機(jī)械精拋光完成晶片超光滑無(wú)損傷鏡面表面的加工,使晶片表面粗糙度降低至亞納米級(jí)。
不論是雙面研磨亦或是單面精磨,選擇精確的CMP研磨耗材是關(guān)鍵。使用吉致電子藍(lán)寶粗拋液、精拋液并搭配不同材質(zhì)的藍(lán)寶石研磨墊可達(dá)到事半功倍的效果。有效提神拋磨速率和良品率,經(jīng)客戶使用數(shù)據(jù)反饋:吉致電子藍(lán)寶石拋光液速率表現(xiàn)快于競(jìng)品液;藍(lán)寶石襯底表面劃傷數(shù)量少于競(jìng)品液;拋光后藍(lán)寶石襯底表面粗糙度優(yōu)于競(jìng)品液。吉致電子為您解決藍(lán)寶石襯底拋光難題!
無(wú)錫吉致電子科技有限公司
聯(lián)系電話:17706168670
郵編:214000
地址:江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新榮路6號(hào)
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 吉致電子陶瓷覆銅板研磨液
- 吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)
- 吉致電子藍(lán)寶石拋光液雙面研磨與單面精磨
- 吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些
- 鈮酸鋰晶體怎么拋光?
- 研磨液和拋光液在半導(dǎo)體芯片加工中的應(yīng)用
- 藍(lán)寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用
- 碳化硅襯底需要CMP嗎
- 碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝
- 國(guó)際第三代半導(dǎo)體年度盛會(huì)--吉致電子半導(dǎo)體拋光耗材受關(guān)注