您好,歡迎來(lái)到吉致電子科技有限公司官網(wǎng)!
收藏本站|在線(xiàn)留言|網(wǎng)站地圖

吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

訂購熱線(xiàn):17706168670
熱門(mén)搜索: 阻尼布拋光墊復合拋光皮復合拋光墊粗拋皮粗拋墊
吉致電子專(zhuān)注金屬拋光、陶瓷拋光、半導體拋光、硬盤(pán)面板拋光
當前位置:首頁(yè)» 吉致動(dòng)態(tài) » 碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-01-26 16:25【

 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度,Si面在 0. 3 nm 之內,C 面在 0. 5 nm 之內。 根據 GB/T30656-2014,4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。

碳化硅單晶拋光片加工標準

  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋,粗拋為機械拋光,目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數,改善晶片表面粗糙度,提高材料去除率。

  目前,關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少,相關(guān)工藝參數有待進(jìn)一步優(yōu)化。精拋為單面拋光,CMP化學(xué)機械拋光是應用最為廣泛的拋光技術(shù),通過(guò)化學(xué)腐蝕和機械磨損協(xié)同作用,實(shí)現材料表面去除及平坦化。晶片在拋光液的作用下發(fā)生氧化反應,生成的軟化層在磨粒機械作用下相對容易被除去。作為單晶襯底加工的最后一道工藝,CMP拋光是實(shí)現碳化硅SIC襯底全局平坦化的常用方法,也是保證被加工表面實(shí)現超光滑、無(wú)缺陷損傷的關(guān)鍵工藝。目前報道的典型精拋工藝技術(shù)對比如下圖所示。

碳化硅精拋工藝對比

  吉致電子以幫助用戶(hù)持續提升效率和良品率為目標,針對SIC襯底DMP和CMP工藝不斷優(yōu)化研發(fā)和改善,打破長(cháng)期被國外壟斷的關(guān)鍵耗材,實(shí)現國產(chǎn)化替代。吉致電子國產(chǎn)碳化硅研磨液/拋光液/研磨墊/拋光墊拋光效果顯著(zhù),可根據要求定制產(chǎn)品。

吉致電子碳化硅CMP拋光耗材


本文由無(wú)錫吉致電子科技原創(chuàng ),版權歸無(wú)錫吉致電子科技,未經(jīng)允許,不得轉載,轉載需附出處及原文鏈接。http://www.shatx.com/

無(wú)錫吉致電子科技有限公司

聯(lián)系電話(huà):17706168670

郵編:214000

地址:江蘇省無(wú)錫市新吳區行創(chuàng )四路19-2

相關(guān)資訊