碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。

  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝參數(shù)有待進(jìn)一步優(yōu)化。精拋為單面拋光，CMP化學(xué)機(jī)械拋光是應(yīng)用最為廣泛的拋光技術(shù)，通過(guò)化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)材料表面去除及平坦化。晶片在拋光液的作用下發(fā)生氧化反應(yīng)，生成的軟化層在磨粒機(jī)械作用下相對(duì)容易被除去。作為單晶襯底加工的最后一道工藝，CMP拋光是實(shí)現(xiàn)碳化硅SIC襯底全局平坦化的常用方法，也是保證被加工表面實(shí)現(xiàn)超光滑、無(wú)缺陷損傷的關(guān)鍵工藝。目前報(bào)道的典型精拋工藝技術(shù)對(duì)比如下圖所示。

  吉致電子以幫助用戶(hù)持續(xù)提升效率和良品率為目標(biāo)，針對(duì)SIC襯底DMP和CMP工藝不斷優(yōu)化研發(fā)和改善，打破長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷的關(guān)鍵耗材，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。吉致電子國(guó)產(chǎn)碳化硅研磨液/拋光液/研磨墊/拋光墊拋光效果顯著，可根據(jù)要求定制產(chǎn)品。

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