溫度對CMP拋光的影響有哪些
化學(xué)機械拋光(CMP)中,拋光墊大面積接觸工件,提高了一致性和拋磨效率,然而在拋光過程中,拋光墊也會不斷地磨損和消耗,各種因素都會影響拋光墊的性能和使用壽命,其中直接的因素就是溫度。
在化學(xué)機械拋光過程中,拋光墊的溫度通常會在兩種情況下升高。一個是固體和固體之間的物理摩擦接觸。摩擦力引起的溫度上升可能導(dǎo)致拋光墊的局部溫度上升到30℃。當(dāng)拋光在液壓釋放模式下進行時,熱量釋放將被釋放。另一種是拋光液和拋光墊之間的化學(xué)反應(yīng)釋放的熱量引起的溫度升高。當(dāng)聚氨酯拋光墊的溫度超過一定限度時,拋光墊的聚氨酯材料的機械性能、物理性能和化學(xué)性能會暫時或一直發(fā)生變化。
在化學(xué)機械拋光過程中,溫度也是影響拋光質(zhì)量的重要因素之一。溫度會隨著拋光的研磨過程而變化。溫度升高對CMP拋光有兩種影響。溫度升高加速了CMP拋光液的化學(xué)活性和納米顆粒在拋光液中的運動,從而加快了材料的去除速率。另一方面,溫度升高會軟化拋光墊的表面,從而降低材料去除速率。因此,研究化學(xué)機械拋光中的溫度場有助于揭示拋光機理,獲得穩(wěn)定的拋光速率,提高拋光零件的表面質(zhì)量。
一方面,溫度可以加速化學(xué)反應(yīng)的進程;另一方面,溫度的升高會改變拋光墊和拋光液的性質(zhì),溫度升高拋光墊會變軟,使拋光顆粒表面的表面活性劑失效,從而加速顆粒的團聚,造成化學(xué)機械拋光的破壞。根據(jù)我們的研究和計算,精拋光過程中溫度變化很小,大的溫升基本上對拋光過程影響不大。至于粗拋光過程中的溫升,接觸機理更為復(fù)雜,有待進一步解決。
本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng),版權(quán)歸無錫吉致電子科技,未經(jīng)允許,不得轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載需附出處及原文鏈接。http://shatx.com/
無錫吉致電子科技有限公司
聯(lián)系電話:17706168670
郵編:214000
地址:江蘇省無錫市新吳區(qū)行創(chuàng)四路19-2
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議“優(yōu)秀組織獎”
- 吉致電子科技碳化硅研磨液的作用
- 吉致電子手機中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理
- 藍寶石襯底研磨用什么拋光液
- 半導(dǎo)體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中
- CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用
- TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry
- 藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液
- 什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些?
- 半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機械平坦化工藝Slurry