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[行業(yè)資訊]吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液？[ 2024-12-06 14:58 ]

碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導體材料，其化學式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領域有著廣泛的應用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設備。此外，它還具有良好的化學穩(wěn)定性和機械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進行CMP加工呢？碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Pl

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[行業(yè)資訊]金剛石懸浮液在半導體領域的應用[ 2024-11-26 16:03 ]

金剛石懸浮液（CMP研磨液）在半導體集成電路領域的應用：適用于半導體晶圓拋光液CMP加工，藍寶石襯底、碳化硅晶圓、氮化鎵、磷化銦等半導體晶片。金剛石懸浮液在半導體晶圓的CMP研磨拋光中發(fā)揮著重要作用。以藍寶石襯底為例，藍寶石材質(zhì)硬度較高，傳統(tǒng)的研磨液難以達到理想的拋光效果，而金剛石懸浮液因其高硬度、高韌性的金剛石顆粒，能夠快速去除藍寶石襯底表面的材料，同時保證加工表面的光潔度。對于碳化硅SiC和氮化鎵、磷化銦等半導體晶片，金剛石懸浮液同樣表

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[常見問題]DNA基因芯片cmp工藝[ 2024-10-11 17:17 ]

基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時將大量的探針分子固定到固相支持物上，借助核酸分子雜交配對的特性對DNA樣品的序列信息進行高效解讀和分析的技術，主要應用在醫(yī)學領域、生物學研究領域和農(nóng)業(yè)領域。DNA芯片生產(chǎn)過程需要經(jīng)過CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達到理想表面效果。吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無機水凝膠或有機聚合物水凝膠等?；蛐酒心ヒ菏褂梦⒚准壞チ现苽?，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝

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[常見問題]二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同[ 2023-08-11 16:04 ]

二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。硅溶膠拋光液是以液體形式存在，直徑為10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有機液體（分散介質(zhì)）里的分散體系，粒子的形貌多為球形，適用于各類工件的鏡面拋光，如金屬、藍寶石襯底、半導體、光學玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中，機器通過壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進行循環(huán)使用，

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[常見問題]藍寶石拋光用什么拋光液[ 2023-07-28 17:29 ]

在生產(chǎn)藍寶石襯底的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術還很不成熟，切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術來達到工件平坦度，拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉速和拋光墊的質(zhì)量等。藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會導致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

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[行業(yè)資訊]藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液[ 2023-05-09 17:07 ]

藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學、機械和電子應用提供了強度、耐磨性、化學惰性適用于光學和激光應用，這些藍寶石窗口設計用于關鍵的光學和激光應用。藍寶石窗口的制程中關鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應用。藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結晶，易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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[應用案例]藍寶石晶圓研磨拋光[ 2022-12-28 13:57 ]

藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值，具有優(yōu)于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度，高效率和高穩(wěn)定性的機器和工藝，使用吉致電子藍寶石拋光液和拋光墊進行CMP研磨拋光即可實現(xiàn)這一過程。通過使用CMP拋光工藝，可以達到理想的表面粗糙度。每個拋光的藍寶石晶片在加工過程中都會有均勻一致的材料去除，并且表面光潔度始終如一。通過改變壓力負載，可以實現(xiàn)每小時1-2μm的材料去除率（MRR）。藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從

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25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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